Схема силовые биополярные транзистор

схема силовые биополярные транзистор
Более подробно работу схемы ОК можно рассмотреть на рисунке 9. Рисунок 9. Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода б-э находится в пределах 0,5…0,7В, поэтому можно принять его в среднем 0,6В, если не задаваться целью проводить расчеты с точностью до десятых долей процента. Для этого в тиристорном преобразователе частоты требуется сложная и громоздкая система управления. Малая энергия переключения позволяет использовать транзисторы Warp вплоть до частот 150 кГц, а транзисторы UltraFast — до 60 кГц при приемлемом уровне динамических потерь. 200 Ом. Следует отметить, что IGBT-транзисторы не так чувствительны к электростатическому пробою, как, например, КМОП-приборы, из-за того, что входная емкость мощных IGBT-транзисторов значительно больше и может вместить в себя большую энергию, прежде чем разряд вызовет необратимый пробой затвора.


Сопротивление нагрузки можно изменять в широких пределах, правда, при этом особо усердствовать не надо. Долгое время транзисторы в основном были германиевыми, и имели структуру p-n-p, что объяснялось возможностями технологий того времени. Но параметры германиевых транзисторов были нестабильны, их самым большим недостатком следует считать низкую рабочую температуру, — не более 60..70 градусов Цельсия. Важно то, что это напряжение, а также сила тока, потребляемая входной цепью транзистора, гораздо меньше напряжения и силы тока в выходной цепи. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Это объясняется инерционностью тепловых процессов, вызывающих перегрев полупроводниковой структуры транзисторов. Также приводятся основные способы и принципы применения МОП-транзисторов в силовых устройствах.

Для предотвращения этого в схеме предусмотрены шунтирующие диоды.Для гальванической развязки силовой и управляющей частей схемы используются две оптопары (по одной на каждый канал – А и Б), что обеспечивает надежную защиту микроконтроллера от непредвиденных ситуаций. Входное сопротивление транзисторного каскада с ОК бывает от десятков до сотен килоом, а выходное в пределах сотни ом — единиц килоом. Транзистором называется полупроводниковый прибор, который может усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы. Зато подобная ООС позволяет значительно расширить диапазон рабочих температур каскада. Если оно не соответствует 0,6…0,7 вольт для кремния, или 0,2…0,3 вольта для германия, тогда ищите неисправность именно здесь – либо неисправен транзистор, либо неисправны цепи смещения или развязки этого транзисторного каскада.

Похожие записи: