Эквивалентная схема транзистора с h-параметрами

эквивалентная схема транзистора с h-параметрами
Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Не инвертирует фазу сигнала. Эта характеристика совпадает с вольтамперной характеристикой p-n перехода.


Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению.Также транзисторы имеют частотную характеристику, которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.Биполярный транзистор. Схема включения с общей базой[править | править вики-текст] Схема включения с общей базой. Система z-параметров Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника токи I1 и I2, а напряжения U1 и U2 будем определять как функции этих токов. Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт.

Эквивалентная схема четырехполюсника с h-параметрами приведена на рисунке 5.24а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h-параметр. Тем не менее (спасибо wrewolf за замечание), в случае с биполярными транзисторами так делать не рекомендуется. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Период подводимых колебаний становится соизмеримым со временем пролета носителей, в базе происходит накопление объемного заряда, за счет которого затруднена инжекция носителей в базу из эмиттера, так как на рассасывание заряда требуется определенное время. Самое ощутимое влияние на работу транзистора при повышении температуры оказывает ток Iкбо. За счет этого тока может произойти тепловой пробой коллекторного перехода. Достоинства Хорошие температурные и широкий частотный диапазон, так как в этой схеме подавлен эффект Миллера.

Похожие записи: